单壁碳纳米管（SWCNT）被认为是摩尔时代最有前途的下一代电子材料之一。低于10 nm的SWCNT场效应晶体管 (FET) 已实现，其性能在相同特征尺寸下超过了Si基 FET。一些工业计划已尝试在集成电路 (IC) 芯片中实施SWCNT电子学。近日，南洋理工大学Qing Zhang研究员等人报道了单壁碳纳米管电子学的最新进展。

文章要点

1）从对基本电子结构、载流子传输机制和金属/单壁碳纳米管接触特性的深入理解，回顾了单壁碳纳米管电子学的最新进展。特别是，单壁碳纳米管的亚阈值开关特性在低功耗、高能效设备操作中尤为突出。

2）概述了最先进的低功耗基于SWCNT的电子设备以及实现低电压和低功耗操作的关键策略。最后，展望了未来基于SWCNT的电子产品的材料制备、器件制造和大规模 IC 集成的基本挑战和前景。

参考文献：

Jianping Zou, et al. Advances and Frontiers in Single-Walled Carbon Nanotube Electronics. Adv. Sci. 2021, 2102860.

DOI: 10.1002/advs.202102860

https://doi.org/10.1002/advs.202102860