构建大面积的二维晶体材料对于探索其功能和应用前景非常重要，化学气相沉积生成2D半导体材料（比如MoS₂）能够通过卤化物实现，而且相关的生长机理的各种方面被人们广泛研究。

有鉴于此，麻省理工学院孔静、加州大学伯克利分校Cong Su等报道通过实验上的证据说明MoS₂的生长动力学与卤有关，生长关系遵循Brønsted-Evans-Polanyi（BEP）规律。

通过研究得到二维材料的生长理论，随后以KI作为生长促进剂，S作为反应原料，在SiO₂/Si基底上能够可重复的快速合成完全覆盖SiO₂/Si基底的大小接近毫米的MoS₂晶体。

本文要点：

（1）

作者根据相关实验结果，建立了MoS₂材料的生长模型和机理，其中MoS₂的边缘被卤钝化，而且得以通过理论研究得到实验验证。在这种卤化物辅助生长机理中，能垒与Mo-X (X=I, Br, Cl, F, O)化学键的键解离能（E_b）呈现线性变化关系，说明CVD生长过程中Mo-X化学键转变为Mo-S化学键是决速步骤。进一步的，作者提出了理论生长模型，能够进一步的解释实验中观测到与硫浓度有关的生长动力学。

（2）

这种对生长机理的理解有助于进一步帮助人们对快速增长的MoS­₂的相关研究，帮助人们实现比目前报道更大尺度的晶体，有助于促进这种材料的实用。

参考文献

Qingqing, Cong Su*, Nannan Mao, Xuezeng Tian, Juan-Carlos Idrobo, Jianwei Miao, William A. Tisdale, Alex Zettl, Ju Li, Jing Kong*, Revealing the Brønsted-Evans-Polanyi relation in halide-activated fast MoS₂ growth toward millimeter-sized 2D crystals, Science Advances, 2021, 7(44), eabj3274

DOI: 10.1126/sciadv.abj3274

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abj3274