对于反铁磁性自旋电子学器件，控制反铁磁的磁矩是实现超快速操作、构建高密度集成器件的关键技术。目前人们能够通过调控电流，能够在对称性破却的外延反铁磁体或者重金属形成界面的反铁磁体中实现调控反铁磁磁矩。

有鉴于此，韩国科学技术院（KAIST）Jeongchun Ryu、Byong-Guk Park等报道在IrMn/NiFe双层材料中无需加入重金属，就能够实现电流调控进行交换偏置。

本文要点

（1）

在这项工作中，通过面内电流调控，实现了达到±22°的具有方向性的交换偏置，交换偏置程度与NiFe层的厚度有关。这个结果说明IrMn层中产生的自旋电流在界面上产生自旋轨道转矩，能够进一步导致反铁磁磁矩的方向发生旋转。

（2）

作者发现在制备的亚微米尺度器件中能够实现记忆的特性，因此有助于用于构建纳米尺度反铁磁性自旋电子学器件。

参考文献

Kang, J., Ryu, J., Choi, JG. et al. Current-induced manipulation of exchange bias in IrMn/NiFe bilayer structures. Nat Commun 12, 6420 (2021). 

DOI: 10.1038/s41467-021-26678-x

https://www.nature.com/articles/s41467-021-26678-x