最小化界面缺陷和提高电荷转移层的电荷转移能力已成为提高钙钛矿太阳能电池效率和稳定性的最重要策略。然而，目前用于减轻界面缺陷的大多数分子钝化剂会在界面处产生导电性差的聚集体，从而阻碍电荷载流子的提取。云南大学 Lin Xie和Yong Hua等人报道了一种采用2,7-二辛基 [1] 苯并噻吩并 [3,2-b][1] 苯并噻吩 (C8-BTBT) 的高结晶聚合物的整体界面工程策略。

本文要点：

1）研究人员揭示了C8-BTBT将钙钛矿薄膜桥接到空穴传输层，减少了界面缺陷并改善了电荷载流子管理。

2）此外，这种用空气稳定的C8-BTBT进行的界面改性通过减少聚集体实现了Spiro-OMeTAD 的理想和稳健的形态。3）因此，经过C8-BTBT处理的器件在所有光伏性能特征上都表现出极大的增强，绝对效率提高超过2%，即为21.94%。C8-BTBT修饰的Spiro-OMeTAD 具有良好的热耐受性，这为提高基于Spiro-OMeTAD的钙钛矿光电性能铺平了道路。

Rongmei Zhao, et al. Interfacial Defect Passivation and Charge Carrier Management for Efficient Perovskite Solar Cells via a Highly Crystalline Polymer，ACS Energy Lett. 2021, 6, 4209–4219

https://doi.org/10.1021/acsenergylett.1c01898

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsenergylett.1c01898