化学掺杂是研究有机半导体中的电荷传输和改进某些（光）电子器件的关键过程。 N（电子）掺杂从根本上比 p（空穴）掺杂更具挑战性，并且通常实现低于10%的非常低的掺杂效率 (η)。有效的分子n掺杂剂应同时表现出高还原能力和空气稳定性，以实现广泛的适用性，这是非常具有挑战性的。南方科技大学Xugang Guo和林雪平大学Antonio Facchetti等人 展示了使用空气稳定的前体型分子掺杂剂对有机半导体进行催化n掺杂的普适性概念。

本文要点：

1）根据实验和理论证据的评估，将过渡金属（例如，Pt、Au、Pd）作为气相沉积纳米颗粒或可溶液加工的有机金属配合物（例如，Pd₂(dba)₃）掺入催化反应，从而极大地促进在更短的掺杂时间和高电导率（高于 100 S cm^-1）中增加了 η。

2）这种方法对实现改进的半导体器件具有技术意义，并为包含催化剂、分子掺杂剂和半导体的三元系统提供了广阔的探索空间，从而为n掺杂研究和应用开辟了新的机会。

Guo, H., Yang, CY., Zhang, X. et al. Transition metal-catalysed molecular n-doping of organic semiconductors. Nature 599, 67–73 (2021). 

https://doi.org/10.1038/s41586-021-03942-0

https://www.nature.com/articles/s41586-021-03942-0