复合结构材料能够实现结合不同材料的物理性质，在如今广泛的科学技术领域中得到广泛应用。

有鉴于此，雷恩大学Charles Cornet等报道发展了外延法生成双域（bi-domain）III-V/Si复合结构材料，将块体光活性半导体与垂直结构2D拓扑半金属结合，在这种复合结构材料中实现了双极性的性质。

本文要点：

（1）

通过结合结构、输运、光电化学表征，借助第一性原理计算，发现双域型材料III-V/Si材料能够实现在相同一层材料中实现更高的光吸收能力、更好的光生载流子分离性能，将光生载流子传输到半金属中，因此能够轻松的抽取电子和空穴，有效促进高效率的收集载流子。

（2）

讨论2D半金属产生拓扑性质的原因，梳状复合结构材料实现将优异的光学性质与金属材料的传导性质结合，而且能够通过III-V无机块体半导体实现了高效率和可调控，能够有效的控制纳米尺度的载流子转移。

这种新型混合异质结材料的物理性质对于能量捕获、光子学、电子学、计算器件等领域具有广泛的应用前景。

参考文献

Lipin Chen, et al. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D-Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties, Adv. Sci. 2021, 2101661

DOI: 10.1002/advs.202101661

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/advs.202101661