迄今为止，将金属delta层受控限制在单个原子平面上仍然是一个未解决的难题。近日，俄罗斯科学院远东分院 (FEB RAS) Alexander A. Saranin等成功将NiSi₂硅化物原子片嵌入晶体Si基底。

本文要点：

1）作者在室温、超高真空的条件下，将硅膜过度生长到Tl/NiSi₂/Si(111)原子夹层上制备了该材料。

2）Tl原子在生长的硅膜表面分离，1.5-3.0 nm厚的外延结晶硅层在NiSi₂片的顶部形成。作者通过透射电子显微镜直接证实了NiSi₂层被限制在单个原子平面上。

3）NiSi₂ delta层表现出与通过两个类空穴和一个类电子界面态带的电子传输相关的p型导电性。此外，将样品在空气中放置一年后，NiSi₂ delta层的基本结构和电子特性仍然存在。

Leonid V. Bondarenko, et al. Metal Sheet of Atomic Thickness Embedded in Silicon. ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c05669

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05669