ACS Nano:嵌入硅中的原子厚度金属片
芣苢 西瓜 2021-11-17

迄今为止,将金属delta层受控限制在单个原子平面上仍然是一个未解决的难题。近日,俄罗斯科学院远东分院 (FEB RAS) Alexander A. Saranin等成功将NiSi2硅化物原子片嵌入晶体Si基底。

本文要点:

1作者在室温、超高真空的条件下,将硅膜过度生长到Tl/NiSi2/Si(111)原子夹层上制备了该材料。

2Tl原子在生长的硅膜表面分离,1.5-3.0 nm厚的外延结晶硅层在NiSi2片的顶部形成。作者通过透射电子显微镜直接证实了NiSi2层被限制在单个原子平面上。

3NiSi2 delta层表现出与通过两个类空穴和一个类电子界面态带的电子传输相关的p型导电性。此外,将样品在空气中放置一年后,NiSi2 delta层的基本结构和电子特性仍然存在。

QQ截图20211117202229.png

Leonid V. Bondarenko, et al. Metal Sheet of Atomic Thickness Embedded in Silicon. ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c05669

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05669


加载更多
1174

版权声明:

1) 本文仅代表原作者观点,不代表本平台立场,请批判性阅读! 2) 本文内容若存在版权问题,请联系我们及时处理。 3) 除特别说明,本文版权归纳米人工作室所有,翻版必究!
芣苢

团簇化学

发布文章:1720篇 阅读次数:2659557
纳米人
你好测试
copryright 2016 纳米人 闽ICP备16031428号-1

关注公众号