基于半导体纳米线的晶体管概念有望在纳米尺度的各种平台中实现高性能、低能耗和更好的可集成性。关于纳米线中电子的固有传输特性，只有在核/壳异质结构中获得了接近体晶体中的相对高的迁移率值，其中电子在空间上被限制在核内部。

近日，德国德累斯顿-罗森道夫亥姆霍兹研究中心Emmanouil Dimakis报道了研究了GaAs/In_0.37Al_0.63As核/壳纳米线应变核内电子的输运特性，并评估这类纳米线在晶体管应用中的潜力。

文章要点

1）研究人员首先采用光谱方法和理论模拟相结合的方法确定了核中的应变及其对能带结构的影响。然后，集中研究了光泵太赫兹探测光谱学（OPTPS），这是一种非接触式的方法来探测载流子的输运和动力学，绕过了纳米线上电触点的制造和相应的电测量分析中的挑战。特别注意了在OPTPS分析中对被探测样品中纳米线的空间排列的作用，以及可选的抗氧化In_yGa_1-yAs覆盖层的存在。

2）研究人员将应变样品的电子散射率和迁移率的结果与无应变GaAs/Al_0.35Ga_0.65As纳米线和块体GaAs的结果进行了比较，揭示了拉伸应变的有利作用。结果表明，电子迁移率值高于大块晶体中的电子迁移率约高30-50%。从而提高了核/壳不匹配纳米线在高速低功率晶体管应用中的潜力。

参考文献

Balaghi, L., Shan, S., Fotev, I. et al. High electron mobility in strained GaAs nanowires. Nat Commun 12, 6642 (2021).

DOI：10.1038/s41467-021-27006-z

https://doi.org/10.1038/s41467-021-27006-z