Nano Lett.:半导体双曲超材料中的强耦合
芣苢 西瓜 2021-11-18

半导体基层状双曲超材料 (HMMs) 在红外光谱范围内具有高波矢量体积等离子体激元 (VPP) 模式。VPP模式已通过增强的Purcell效应在弱耦合机制中得到成功利用。近日,特拉华大学Stephanie Law等通过实验证明了半导体 HMM 中的 VPP 模式与外延嵌入量子阱的子带间跃迁之间的强耦合。

本文要点:

1双曲超材料的每个介电层中嵌入了一个子带间跃迁约为 14.6 μm 的单量子阱。作者使用金属光栅将入射光耦合到 VPP 模式并绘制这些模式的色散。

2作者将结果与具有相同结构但没有量子阱的对照双曲超材料进行比较。仅在具有量子阱的样品中观察到抗交叉行为,证明了观察到强耦合。

该工作为创建将 HMM 与嵌入式外延发射器或探测器结构相结合的新型红外光电结构奠定了基础。

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Patrick Sohr, et al. Strong Coupling in Semiconductor Hyperbolic Metamaterials. Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03290

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c03290


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