Nano. Lett:局部增强电场处理(LEEFT)可利用避雷针效应以快速灭活细菌
柚子 柚子 2021-11-18

有害细菌的生长会引发许多生物安全和健康问题。佐治亚理工学院Xing Xie发现局部增强电场处理(LEEFT)可以通过电穿孔以导致细菌快速失活。

 

本文要点:

(1)实验在带有纳米楔修饰电极的芯片实验室对细菌失活进行了单细胞水平的原位研究。由于避雷针效应的存在,纳米楔的尖端的电场会增强,从而使得细菌迅速失活。研究表明,局部增强电场诱导的电穿孔是细菌失活的主要机制。

(2)研究也发现,LEEFT的抗菌性能取决于增强电场的强度,而非外加电压。当90%的细菌失活时,实验也检测不到活性氧的产生。此外,膜孔在低电压下的快速闭合也证明了LEEFT能够诱导电穿孔。综上所述,这一研究在单细胞水平上对LEEFT灭活细菌的机理进行了首次的可视化研究,为其未来的应用提供了有力的支持。

Ting Wang. et al. Operando Investigation of Locally Enhanced Electric Field Treatment (LEEFT) Harnessing Lightning-Rod Effect for Rapid Bacteria Inactivation. Nano Letters. 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02240

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c02240


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