Nano Lett.:InSbAs 二维电子气作为拓扑超导的平台
芣苢 西瓜 2021-11-19

半导体的拓扑超导是可设计的,具有与超导体耦合的强自旋轨道相互作用。该领域的实验进展通常是由新杂化材料系统的开发引发的。其中,二维电子气 (2DEGs) 由于其固有的设计灵活性和可扩展性而备受关注。近日,代尔夫特理工大学Srijit Goswami等讨论了基于与原位生长的铝耦合的三元 2DEG (InSbAs) 的二维平台的结果。

本文要点:

1这些 2DEG 中的自旋轨道耦合可以通过 As 浓度进行调整,达到高达 400 meV Å 的值,从而超过了在其二元成分中测量的典型值。

2除了~55(与 InSb 相当)的大Landé g 因子之外,作者还表明清洁的超导体 - 半导体界面会导致超导间隙。

3通过这个新平台,作者展示了相位可控Josephson结、超导域和准一维系统的基本操作,用于研究Majorana零模式的原型器件几何形状。

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Christian M. Moehle, et al. InSbAs Two-Dimensional Electron Gases as a Platform for Topological Superconductivity. Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03520

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c03520

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