半导体的拓扑超导是可设计的，具有与超导体耦合的强自旋轨道相互作用。该领域的实验进展通常是由新杂化材料系统的开发引发的。其中，二维电子气 (2DEGs) 由于其固有的设计灵活性和可扩展性而备受关注。近日，代尔夫特理工大学Srijit Goswami等讨论了基于与原位生长的铝耦合的三元 2DEG (InSbAs) 的二维平台的结果。
本文要点：
1）这些 2DEG 中的自旋轨道耦合可以通过 As 浓度进行调整，达到高达 400 meV Å 的值，从而超过了在其二元成分中测量的典型值。
2）除了~55（与 InSb 相当）的大Landé g 因子之外，作者还表明清洁的超导体 - 半导体界面会导致超导间隙。
3）通过这个新平台，作者展示了相位可控Josephson结、超导域和准一维系统的基本操作，用于研究Majorana零模式的原型器件几何形状。
Christian M. Moehle, et al. InSbAs Two-Dimensional Electron Gases as a Platform for Topological Superconductivity. Nano Lett., 2021
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03520
