多共振热激活延迟荧光 (MR-TADF) 发射器由于其高激子利用效率和窄带发射，在有机发光二极管 (OLED) 中显示出巨大的潜力。尽管如此，它们由强烈的发色团间相互作用引起的自猝灭趋势会引起掺杂敏感性并降低器件性能，并且在不牺牲色纯度的情况下构建抗猝灭发射体的有效策略仍有待开发。深圳大学Xiaosong Cao和Chuluo Yang等人通过使用两个庞大的咔唑基单元分离平面MR-TADF骨架，报道了具有增强的淬火抗性的高发射分子。

本文要点：

1）空间效应在很大程度上消除了不利的准分子/聚集体的形成，并提高了相应器件的性能，最大外量子效率 (EQE_max) 高达40.0%，半峰全宽 (FWHM) 为25nm，代表迄今为止唯一一个可以同时实现窄带宽和超过40%的高EL效率的单结OLED示例。

2）即使在30 wt%的掺杂比例下，EQE_max仍保持在33.3%，发射光谱几乎没有变化。

3）这项工作提供了一种可行的方法来实现具有极高EL效率和色纯度的掺杂不敏感MR-TADF器件，用于高端OLED显示器。

Jiang, P., Miao, J., Cao, X., Xia, H., Pan, K., Hua, T., Lv, X., Huang, Z., Zou, Y., Yang, C., Quenching-Resistant Multiresonance TADF Emitter Realizes 40% External Quantum Efficiency in Narrowband Electroluminescence at High Doping Level. Adv. Mater. 2021, 2106954. https://doi.org/10.1002/adma.202106954

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202106954