调控铁电薄膜材料的面内畴变化过程不仅有助于理解铁电现象,而且能够有助于制备功能性器件。但是铁电薄膜的面内极化通常表现非常复杂的多畴状态,这对于光电器件而言并没有好处。
有鉴于此,威斯康星大学麦迪逊分校C. B. Eom等报道结合界面对称性调控(interfacial symmetry engineering)和各向异性应变(anisotropic strain),构建了面内极化BaTiO3单畴域铁电薄膜。
参考文献
Lee, J.W., Eom, K., Paudel, T.R. et al. In-plane quasi-single-domain BaTiO3 via interfacial symmetry engineering. Nat Commun 12, 6784 (2021).
DOI: 10.1038/s41467-021-26660-7
https://www.nature.com/articles/s41467-021-26660-7