Janus过渡金属二硫属化物(TMDCs)是一种特殊的2D材料，其不同的硫属元素原子共价键合在单胞的每一侧，从而产生有趣的特性。迄今为止，人们已经开发了多种合成策略来获得Janus TMDCs，这涉及到用H原子剥离MoS2的顶层S。然而，关于中间体Janus MoSH的研究很少。这对找到合适的等离激元处理时间以避免样品损坏至关重要。因此，彻底了解MoSH的形成和性质非常重要。近日，中山大学Kun Chen，江南大学Xi Wan等报道了通过受控的H2等离激元处理实现逐步合成Janus MoSH单层，并通过TOF-SIMS分析以及随后的MoSSe制备得到证实。
本文要点：
1）作者通过FET器件研究、KPFM和DFT计算结合，对MoSH的电子特性，包括高本征载流子浓度（~2 × 1013 cm-2）和费米能级（~ - 4.11 eV），进行了系统的研究。
2）结果证明了一种创建Janus MoSH的新方法，并展现了对Janus TMDC器件应用具有重要意义的基本电子参数。
3）此外，受益于高载流子浓度和本征的二维特性，2D Janus MoSH可能是观察中红外区域SPR行为的潜在平台。
Xi Wan, et al. Synthesis and Characterization of Metallic Janus MoSH Monolayer. ACS Nano, 2021
DOI: 10.1021/acsnano.1c08531
