二维（2D）单分子层半导体横向异质结构中界面的性质，包括组成、尺寸和异质性，对其在下一代光电子学的2D体系中所产生的功能有着至关重要的影响。

近日，蒙大拿州立大学Nicholas J. Borys，阿拉巴马大学Patrick Kung报道了尖端增强拉曼散射（TERS）成像和光谱技术是研究2D TMD半导体异质结构界面的一种有效的、互补的表征技术。空间分辨率至少达到50 nm，同时共振和非共振TERS测量都对异质结的局域化学计量比敏感。

文章要点

1）TERS测量得到了异质结构的KPFM成像的补充，在PL被底层金衬底强烈淬灭的系统上工作。在TERS表征中，研究发现，同一微晶中，异质结构的过渡区在空间范围内变化很大，尺寸从∼600 nm到小于50 nm不等。

2）利用纳米尺度的振动指纹图谱，研究人员评估了异质结构的局域合金化，并绘制了异质结构界面上拉曼光谱的演化图。通过绘制界面上多个拉曼模式的纳米尺度转换图，可以洞察多个拉曼模式的起源和本质。

总之，TERS是一种研究异质结构界面纳米尺度特性的有效方法，是对其他成像技术的补充，为将界面结构和组成与宏观器件性能联系起来的更深层次的多模态研究奠定了基础。

参考文献

Sourav Garg, et al, Nanoscale Raman Characterization of a 2D Semiconductor Lateral Heterostructure Interface, ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c06595

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c06595