半导体在室温下直接检测X射线和γ射线等高能辐射是一项具有挑战性的命题，需要非常纯净且近乎完美的晶体。在经历了近 20 年的中断后，缺陷耐受半导体——金属卤化物钙钛矿的出现为该领域的新材料带来了希望。 金属卤化物钙钛矿结合了卓越的光电特性、通用化学和简单合成，对开发用于检测硬辐射的新型半导体的传统方法提出了挑战。苏州大学Yihui He和美国西北大学Mercouri G. Kanatzidis等人对此进行了全面的综述。

本文要点：

1）研究人员通过针对用于辐射检测的下一代半导体，讨论高性能、低成本探测器的相关物理特性、有前途的材料、制造技术和设备架构。 

2）最后还提出了关于此类进步对未来医学成像应用的影响的观点。重要的一点是，必须阐明MHP探测器在高剂量辐射和高电场下的装置稳定性，因为它对商业化尤为重要。

3）软晶格和更高的缺陷耐受性表明，与不耐受缺陷的半导体相比，MHP可能表现出更高的辐射硬度。然而，在高剂量辐射后，在合金混合MHP（MAPbBr_3-xCl_x）中会观察到光谱退化。必须调查和了解晶体内或电极界面附近可能存在的辐射损伤。

He, Y., Hadar, I. & Kanatzidis, M.G. Detecting ionizing radiation using halide perovskite semiconductors processed through solution and alternative methods. Nat. Photon. (2021). https://doi.org/10.1038/s41566-021-00909-5