纳米转移印刷（nTP）技术因其突出的简单性、成本效益和高通量而备受关注。然而，传统的化学介质制备方法阻碍了电子器件和光子器件的大面积均匀化和快速发展。迄今为止，开发无化学工艺来实现低成本、高效率和大面积制造仍然是一个重大的挑战。

基于此，南洋理工大学Munho Kim，韩国机械与材料研究院Jun-Ho Jeong报道了基于纳米尺度的低熔化效应，提出了无化学成分的nTP（CF-NTP），它可以很容易地在晶圆尺度衬底上制备出排列良好的纳米结构。

文章要点

1）这种方法在短时间内基于均匀的压力和温度，直接将结构精准的纳米结构转移到接收器衬底上，实现了无溶剂、无粘结层的纳米结构的转移，从而实现了大面积制造的无缺陷纳米结构。同时，纳米结构可转移到不同的半导体衬底（Si、玻璃、GaAs和Ge）上，以突出方法的广泛适用性。

2）此外，研究人员还将CF-nTP应用于金属辅助化学刻蚀（MacEtch），制备出具有极高长宽比（HARs）的可控纳米结构。这种结合开创了具有HAR的结构精准纳米结构先例。更值得注意的是，这将取代涉及制造金属催化剂的传统技术(例如，光、电子束、纳米压印光刻和金属沉积)，这些技术对于实现MacEtch至关重要。此外，研究人员还展示了HAR Si纳米结构良好的均匀性和可扩展性，这将导致纳米器件和电路领域的重大进展。

3）最后，研究人员制作了基于硅纳米线（NWs）的硅片规模的高性能光电探测器，以验证该方法的实用性。

参考文献

Zhi-Jun Zhao, et al, Direct Chemisorption-Assisted Nanotransfer Printing with Wafer-Scale Uniformity and Controllability, ACS Nano, 2021

DOI：10.1021/acsnano.1c06781

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c06781