介电涂层提供了一种控制源自纳米等离激元系统的热载流子发射的通用方法，以用于新兴的纳米催化和光电阴极应用，其均匀涂层用作调节剂，非均匀涂层提供定向光电流控制。然而，通过致密和介孔二氧化硅(SiO2)涂层的电子发射机理需要进一步研究。近日，科罗拉多大学博尔德分校David J. Nesbitt，伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校Catherine J. Murphy等对单个金纳米棒的光电发射与致密/介孔二氧化硅涂层厚度的函数进行了系统研究。
本文要点：
1）金纳米结构上致密涂层的研究阐明了短（~1 nm）衰减长度是导致通过二氧化硅导带的传输严重降低的原因。
2）相比之下，介孔二氧化硅的透射率要高得多，作者通过一个简单的几何模型定量地概括了通过纳米级多孔通道的电子逃逸概率。
3）最后，具有涂层缺陷的纳米棒的光电子速度图成像(VMI)研究证实光发射优先通过较薄的区域发生，这说明了在纳米尺度上设计光电流分布的新机遇。
Fabio Medeghini, et al. Regulating and Directionally Controlling Electron Emission from Gold Nanorods with Silica Coatings. Nano Lett., 2021
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03569
