基于CsPbIxBr3-x器件的离子迁移、卤化物空位和离子悬空键等固有缺陷是造成深能级缺陷、非辐射复合和耐湿性差的主要原因。界面工程已被证明是解决这些问题最直接、最有效的方法。华侨大学Jihuai Wu和Zhang Lan等人在 CsPbI1.5Br1.5和碳电极之间构建了PbS/CdS异质结薄层。
本文要点：
1）薄层与钙钛矿相互作用，降低陷阱密度，抑制载流子复合，增加内建电位，抑制离子迁移，大大提高器件的稳定性。
2）结果，碳基CsPbI1.5Br1.5 PSC的开路电压为1.315 V，填充因子为77.06%，功率转换效率为13.65%，这可能是迄今为止报道的碳基CsPbI1.5Br1.5 PSC的最高效率。
3）优化后的装置可保持原效率90%以上，在相对湿度≈30%的大气环境中可存放1200小时。在85°C的温度下，在氮气环境中400小时仍能保持87%的初始效率。该工作为高效稳定的全无机PSCs提供了一个新的优化方向。
Yuan Xu, et al. PbS/CdS heterojunction thin layer affords high-performance carbon-based all-inorganic solar cells, Nano Energy, 2022.
https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2022.106973
