Angew:Ti3C2Tx刻蚀形成界面偶极增强电磁屏蔽
纳米技术 纳米 2022-02-07

虽然二维层状过渡金属碳化物/氮化物(MXene)通过反射电磁波获得了优异的电磁干扰屏蔽能力。但是由于这种材料的本征的缺陷,难以实现具有更高导电性能力的电磁干扰屏蔽性能。

有鉴于此,杭州电子科技大学张雪峰等报道通过在MXene材料中通过化学刻蚀形成高含量Ti缺陷生成微米大小褶皱结构,能够吸收电磁波,实现了优异的电磁干扰屏蔽效果,20 μm厚度的材料屏蔽效率达到107 dB

本文要点:

(1)

通过结合原子尺度结构观测和第一性原理计算,发现改善电磁干扰屏蔽能力的原因是因为在Ti空穴位点附近形成不对称分布的电荷浓度产生电偶极,得以改善电磁干扰屏蔽

(2)

本文研究结果为发展新型二维电磁干扰屏蔽材料提供更多的机会。

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参考文献

Mengfan Ying,Rongzhi Zhao,Xin Hu,Zhenhua Zhang,Weiwei Liu,Jieyi Yu,Xiaolian Liu,Xianguo Liu,Huawei Rong,Chen Wu,Yixing Li,Xuefeng Zhang, Wrinkled Titanium Carbide (MXene) with Surface Charge Polarizations through Chemical Etching for Superior Electromagnetic Interference Shielding, Angew. Chem. Int. Ed. 2022

DOI: 10.1002/anie.202201323

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202201323


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