控制载流子的极性和浓度是大多数电子器件和光电器件的关键，但是目前在铅卤化物钙钛矿的相关研究中，通过掺杂调节载流子的研究还非常少见。

有鉴于此，华中科技大学肖泽文、牛广达等报道，通过CsPbBr₃作为代表性的钙钛矿，发现Pb金属与CsBr₃/Br₂共存（而不是前驱体的比例），能够将钙钛矿从比较弱的n型半导体转变为p型半导体，因此实现了对载流子和光电性能的调控。

本文要点：

（1）

在实验表征中，当CsPbBr₃暴露于Br₂处理，导致Fermi能级移动1.00 eV，这种能级的移动在各种掺杂方法中是Fermi能级调节效果最显著的结果。

（2）

通过CsPbBr₃材料构建X射线探测器展示了优异的性能，暗电流的偏移非常低，仅仅7.1×10⁻⁴ nA cm⁻¹ s⁻¹ V⁻¹，X射线的最低检测限仅仅为103.6 nGy_air s^-1，灵敏度高达 9085 μC Gy_air⁻¹ cm⁻²。

本文研究为铅基卤化物材料电子性质的调节提供理解和指导。

参考文献

Xinyuan Du,Yingmeng Liu,Weicheng Pan,Jincong Pang,Jinsong Zhu,Shan Zhao,Chao Chen,Yu Yu,Zewen Xiao,Guangda Niu,Jiang Tang,Chemical Potential Diagram-Guided Rational Tuning of Electrical Properties: A Case Study of CsPbBr₃ for X-ray Detection, Adv. Mater. 2022, 2110252

DOI: 10.1002/adma.202110252

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202110252