氧化物半导体能够作为薄膜晶体管的活性层。但是氧化物半导体材料的场效应载流子传输性能无法与低温处理得到的多晶Si相比（50-100 cm² V^-1 s^-1）。

有鉴于此，岛根大学Yusaku Magari等报道提出了一种非常简单的处理过程得到高性能薄膜晶体管器件的方法，这种方法中是通过低温固相晶化处理得到氢化的多晶In₂O₃实现的（In₂O₃:H）。

本文要点：

（1）

通过低温固相晶化反应过程得到的In₂O₃:H薄膜晶体管在300 ℃展示了优异的场效应载流子传输性能（μ_FE=139.2 cm² V^-1 s^-1），亚阈值摆动（subthreshold swing）达到0.19 Vdec^-1，阈值电压为0.2 V。

（2）

制备薄膜晶体管的过程中，溅射沉积过程中的氢处理起到非常重要的作用，能够增大晶体的粒径降低能带缺陷位点的数量。这种合成薄膜的过程无需使用贵重的设备，无需对现有常用的制备过程进行改动。因此，这种处理过程在未来柔性电子领域具有重要应用前景。

参考文献

Magari, Y., Kataoka, T., Yeh, W. et al. High-mobility hydrogenated polycrystalline In₂O₃ (In₂O₃:H) thin-film transistors. Nat Commun 13, 1078 (2022)

DOI: 10.1038/s41467-022-28480-9

https://www.nature.com/articles/s41467-022-28480-9