为了发展芯片生物电子学器件，韩国中央大学Sung Kyu Park、Yong-Hoon Kim等报道提出了结构对称的具有离子凝胶栅电介质与面内Corbino电极结构的门控金属氧化物双电层晶体管。

通过无定形In-Ga-Zn氧化物半导体和离子凝胶介电层，建立低电压驱动的双电层晶体管，实现了较好的离子电子学效应。

本文要点：

（1）

与经典不对称结构矩形双电层晶体管通常导致活性通道层中产生不均匀电位变化的现象和导致降低传感性能不同，这种新型对称结构的面内双电层晶体管实现了空间分布均匀的更高离子响应。

（2）

结构对称的无定形In-Ga-Zn氧化物双电层晶体管对5 ppm Hg²⁺的响应能力达到129.4 %，性能比传统电极结构性能（38.5 %）提高3倍。为了验证这种新型结构器件和测试结果的可靠性，进行了一系列电化学表征、3D有限元分析模拟。

参考文献

Jingu Kang, Young-Woo Jang, Sang Hee Moon, Youngjin Kang, Jaehyun Kim, Yong-Hoon Kim, Sung Kyu Park, Symmetrically Ion-Gated In-Plane Metal-Oxide Transistors for Highly Sensitive and Low-Voltage Driven Bioelectronics, Adv. Sci. 2022, 2103275

DOI: 10.1002/advs.202103275

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/advs.202103275