近年来，钙钛矿量子点（QDs）和QD基发光二极管（QLEDs）的性能有了很大提高，绿色和红色发射的电致发光（EL）效率超过20%。然而，钙钛矿近红外（NIR）QLED的发展已经停滞不前，据报道的最大EL效率仍低于6%，限制了它们的进一步应用。中国台湾明志科技大学Zong-Liang Tseng, Shun-Wei Liu及台湾大学Ken-Tseng Wong等人通过用 2-苯基乙基碘化铵 (PEAI) 对长烷基封装的 QD 进行后处理，开发了新的 NIR 发射 FAPbI3 QD。 

本文要点：

1）PEAI 的加入减少了 QD 表面缺陷，从而提供高达 61.6% 的高光致发光量子产率。将 PEAI 钝化的 FAPbI3 QD 的正辛烷溶液旋涂在 PEDOT:PSS 处理的 ITO 电极上，该电极用热交联空穴传输层进行修饰，得到全覆盖、光滑、致密的 QD 薄膜。

2）结合具有深 LUMO 和良好电子迁移率的有效电子传输材料 CN-T2T，在 772 nm 处具有 EL λmax 的最佳器件在 0.54 mA/cm2 (2.6 V) 的电流密度下实现了高达 15.4% 的外量子效率，这是迄今为止报道的基于钙钛矿的 NIR QLED 的最高效率。

3）该研究提供了一种简便的策略来制备适用于高效 NIR QLED 应用的高质量钙钛矿 QD 薄膜。

Tseng, Z.-L., Chen, L.-C., Chao, L.-W., Tasi, M.-J., Luo, D., Amin, N.R.A., Liu, S.-W. and Wong, K.-T. (2022), Aggregation Control, Surface Passivation, and Optimization of Device Structure Toward Near-Infrared Perovskite Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with an EQE up to 15.4%. Adv. Mater..

https://doi.org/10.1002/adma.202109785