二维结构晶体扭曲形成的异质结为设计新材料提供广阔空间。

有鉴于此，曼彻斯特大学Roman Gorbachev、Vladimir I. Fal’ko等报道在单层或者少层MoS₂能够形成室温铁电半导体，这种van der Waals异质结构通过反演对称性破缺，在界面上的不对称原子排列，因此实现沿着扭曲网络结构实现了交替面外极化的铁电畴。

本文要点：

（1）

通过面外电场能够调节铁电畴，并且能够通过沟道对比电子显微镜进行原位表征。观测发现的界面电荷传输、铁电畴壁移动/弯曲现象很好的符合理论计算结果。进一步的，验证了将其用于场效应晶体管，发现沟道电阻由于铁电畴壁钉扎产生显著的回滞。

（2）

本文研究结果为发展室温具有铁电存储功能的铁电电子学和光电子半导体器件提供机会。

参考文献

Weston, A., Castanon, E.G., Enaldiev, V. et al. Interfacial ferroelectricity in marginally twisted 2D semiconductors. Nat. Nanotechnol. (2022)

DOI: 10.1038/s41565-022-01072-w

https://www.nature.com/articles/s41565-022-01072-w