二维半导体表现能够作为下一代“超越摩尔定律”的纳米电子学材料，目前人们成功的合成晶圆尺寸MoS₂、WS₂等二维半导体，但是还没有合适的掺杂技术，而且在金属-半导体界面产生较高的接触电阻，抑制二维半导体材料应用于电子学器件。

有鉴于此，武汉大学史建平等报道发展了一种方法对厘米尺寸的单层MoS₂进行掺杂Fe，显著改善了器件性能。通过在单层MoS₂中掺杂Fe，实现了超低的接触电阻，能够与电极之间形成优异的欧姆接触，器件因此获得优异的电子传输性能、开/关比。

本文要点：

（1）

单层MoS₂中表现超低的有效电子质量，同时由于掺杂位点比较合适，器件的杂质散射得到显著抑制。在2英寸商业c-plane蓝宝石基底上构建了单层的取向一致Fe-MoS₂，说明能够非常方便的合成晶圆尺度二维单晶半导体，并且实现了优异的器件性能。

（2）

本文研究工作展示说明高性能单层半导体材料晶体管的前景，为构建尺寸更小的器件、进一步延续摩尔定律提供机会。

参考文献

Hui Li, Mo Cheng, Peng Wang, Ruofan Du, Luying Song, Jun He, Jianping Shi, Reducing Contact Resistance and Boosting Device Performance of Monolayer MoS₂ by In-Situ Fe Doping, Adv. Mater. 2022, 2200885

DOI: 10.1002/adma.202200885

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202200885