Cu的氧化作用可能严重损害Cu的性能，尤其是在半导体工业和电/光领域。因此人们对Cu的氧化现象和阻碍氧化的方法进行非常多研究，比如通过原位观测的方法对Cu的氧化过程进行表征，发现Cu的氧化与台阶表面有关：由于Cu原子从台阶脱离，扩散穿过阶梯位点，在平坦表面氧化生成Cu₂O。虽然这些研究能够解释单晶Cu具有比多晶Cu更好的抗氧化能力，但是人们对于平坦Cu单晶表面为何能够避免氧化还缺少进一步深入的理解。

有鉴于此，密西西比州立大学Seong-Gon Kim、成均馆大学Young-Min Kim、釜山国立大学Se-Young Jeong等报道制备了平坦的Cu薄膜材料（偶尔存在一个原子厚度的台阶），表现半永久性的抗氧化能力，并研究单晶Cu(111)具有优异抗氧化能力的原因。

本文要点：

（1）

通过第一性原理计算模拟，发现当氧面心立方的表面结构达到50 %覆盖度，单个原子形成的台阶边缘位点能够像平坦Cu表面一样具有抗氧化能力。通过以上研究结果说明了平坦表面Cu表面如何展示优异的抗氧化能力。

参考文献

Kim, S.J., Kim, Y.I., Lamichhane, B. et al. Flat-surface-assisted and self-regulated oxidation resistance of Cu(111). Nature 603, 434–438 (2022)

DOI: 10.1038/s41586-021-04375-5

https://www.nature.com/articles/s41586-021-04375-5