生长大面积MoS₂金属硫化物，与MoS₂与半导体集成是目前二维材料应用于光电化学器件（比如有源矩阵显示器或光学传感器）主要需要解决的问题。

有鉴于此，延世大学Jong-Hyun Ahn等报道一种新型在半导体上组装过渡金属硫化物的方法，这种方法能够兼容一系列批量微加工工艺兼容。

本文要点：

（1）

在GaN外延生长的薄膜上直接生长原子层MoS₂薄膜，构建一层薄膜晶体管器件阵列。将MoS₂薄膜晶体管与微型发光二极管（LED）集成，得到有源矩阵微型LED显示屏。

（2）

本文工作展示了一种在蓝色微型LED上打印量子点的简单方法，实现了制备大规模全彩色微型LED显示器。这种方法是一种具有前景的异相集成技术，为发展高性能光电器件提供可行性，为将二维材料应用于半导体技术提供机会。

基于传统的CMOS技术进行LED阵列、TFT集成需要较高的空间分辨准确度，尤其是当微型LED的尺寸<10 μm用于高分辨率显示。同时多晶Si无定形背底需要激光处理转化为晶化的多晶Si。与之相比，MoS₂能够在较低温度在GaN晶圆上集成，不会损失LED层，有效的降低复杂操作过程。

参考文献

Hwangbo, S., Hu, L., Hoang, A.T. et al. Wafer-scale monolithic integration of full-colour micro-LED display using MoS₂ transistor. Nat. Nanotechnol. (2022)

DOI: 10.1038/s41565-022-01102-7

https://www.nature.com/articles/s41565-022-01102-7