掺杂工程是控制调节半导体材料电学、光学、结构特点的重要方法。在一些共掺杂体系中，理解共掺杂剂之间的作用对于构建高性能光电极而言非常重要。

有鉴于此，蔚山科学技术院Ji-Hyun Jang等报道发现通过引入Ti掺杂剂，能够降低Si掺杂Fe₂O₃的形成能，因此通过简单可靠和价格合理的溶液方式进行Si掺杂。

本文要点：

(1)

通过掺杂剂之间的相互作用能够降低形成能，基于对形成能的控制，优化比例的Si:Ti共掺杂Fe₂O₃能够在1.23 V实现4.3 mA cm^-2光电流密度，掺杂处理修饰无需难以操作的实验步骤。

(2)

本文研究展示了一种在光催化剂中修饰高能量掺杂剂的简单方法。

参考文献

Ki-Yong Yoon, Juhyung Park, Hosik Lee, Ji Hui Seo, Myung-Jun Kwak, Jun Hee Lee, and Ji-Hyun Jang*, Unveiling the Role of the Ti Dopant and Viable Si Doping of Hematite for Practically Efficient Solar Water Splitting, ACS Catal. 2022, 12, 5112–5122

DOI: 10.1021/acscatal.1c05106

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.1c05106