全无机钙钛矿CsPbI₃是一种具有前景的深红色LED器件材料，CsPbI₃具有优异 的载流子传输能力、高颜色纯度、溶液相处理能力。但是光活性黑相CsPbI₃具有非常高的相变能垒，导致CsPbI₃材料难以制备高效明亮LED器件。

有鉴于此，中国科学技术大学姚宏斌等报道一种使用α-BaF₂纳米粒子基底能够改善溶液相异相外延生长，克服相变的高能垒，获得高纯度光学活性γ-CsPbI₃薄膜，构建了高亮度深红色LED器件。

本文要点：

(1)

在α-BaF₂纳米粒子的暴露晶面上进行外延生长，BaF₂与γ-CsPbI₃的(110)晶面的晶格匹配达到99.5 %。通过这种超高的晶格匹配度，在溶液相界面生长过程中实现了低缺陷含量的非应力外延生长，得到高取向度γ-CsPbI₃薄膜。

(2)

生成的γ-CsPbI₃薄膜具有均一、光滑、高荧光强度多种优势，制备的深红色LED器件实现了14.1 %的量子效率和创纪录的亮度（1325 cd m^-2）。

参考文献

Qian Zhang, Yong-Hui Song, Jing-Ming Hao, Yi-Feng Lan, Li-Zhe Feng, Xue-Chen Ru, Jing-Jing Wang, Kuang-Hui Song, Jun-Nan Yang, Tian Chen, and Hong-Bin Yao*, α-BaF₂ Nanoparticle Substrate-Enabled γ-CsPbI₃ Heteroepitaxial Growth for Efficient and Bright Deep-Red Light-Emitting Diodes, J. Am. Chem. Soc. 2022

DOI: 10.1021/jacs.2c01034

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c01034