尽管在合成各种具有B-N键的多环芳烃（BN-PAHs）方面取得了显著的成就，但它们的光电应用却很少得到开发。有鉴于此，南开大学的王小野等研究人员，通过外围工程制备高迁移率有机光电材料用BN-蒽。

本文要点

1）研究人员报告了通过“外围工程”策略，基于现有BN-PAHs的高迁移率有机半导体的成就。

2）设计并合成了四苯基和二苯基取代的BN-蒽（分别为TPBNA和DPBNA）。

3）在有机场效应晶体管中，DPBNA的空穴迁移率最高，为1.3 cm² V^-1 s^-1，显著优于TPBNA和所有已报道的BN-PAHs。

4）值得注意的是，这是第一个迁移率超过1cm² V^-1 s^-1的BN-PAH，与非晶硅相比，这是实际应用的基准值。

5）此外，还展示了基于DPBNA的高性能光电晶体管，这意味着在实施“外围工程”策略后，BN-PAHs在光电应用方面具有很大潜力。

参考文献：

Wanhui Li, et al. BN-Anthracene for High-Mobility Organic Optoelectronic Materials through Periphery Engineering. Angewandte Chemie, 2022.

DOI：10.1002/anie.202201464

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202201464