MoS₂等二维过渡金属硫化物由于具有优异的电子学性质因此在构建更低尺寸器件领域得到人们的广泛关注。目前人们大量的发展基于MoS­₂的微处理器和神经网络线路，但是此类电路还无法表现比硅基电路更具优势。

有鉴于此，清华大学任天令、田禾、华东师范大学吴幸等综述总结目前二维过渡金属硫化物材料构建电路结构、电极、掺杂材料等领域的发展。

本文要点：

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根据MoS₂材料比传统CMOS电路更加优异的应用的新型机理介绍，因此从发展高密度低功耗集成电路目标和面临的困难进行总结。最后，从材料、系统性能、传感器电路和模拟电路等非逻辑功能的应用角度，简要的分析MoS₂在大规模集成电路的应用前景。

参考文献

Yang Shen, Zuoyuan Dong, Yabin Sun, Hao Guo, Fan Wu, Xianglong Li, Jun Tang, Jun Liu, Xing Wu, He Tian, Tian-Ling Ren, The trend of 2D transistors toward integrated circuits: Scaling down and new mechanisms, Adv. Mater. 2022

DOI: 10.1002/adma.202201916

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202201916