高质量的InP基量子点（QDs）已经成为非常有前途的、环境友好的显示器应用发光材料，但它们的合成通常需要危险的氢氟酸。

近日，西湖大学Botao Ji，河南大学Huaibin Shen，成均馆大学Tae Kyu Ahn提出了一种非常简单的制备InP/ZnSe/ZnS核/壳/壳QDs的方法，其光致发光量子产率接近统一。

文章要点

1）作为关键添加剂，无机盐ZnF2在高温下与羧酸温和反应，原位生成HF，消除表面氧化物杂质，促进外延壳层生长。

2）与氢氟酸合成的QDs相比，得到的InP/ZnSe/ZnS QDs具有更窄的发射线宽度和更出色的热稳定性。

3）采用大尺寸InP/ ZnSe/ZnS QDs而不替换原始配体的发光二极管实现了22.2%的最高峰值外量子效率，以及大于 110000 cd/m²的最大亮度和在100 cd/m²下超过 32000 h的T₉₅寿命。

这种安全的方法有望应用于广泛的III-V QDs。

参考文献

Haiyang Li, et al, ZnF₂‑Assisted Synthesis of Highly Luminescent InP/ZnSe/ZnS Quantum Dots for Efficient and Stable Electroluminescence, Nano Lett., 2022

DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c00763

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c00763