缺陷工程是材料科学领域中的一个关键技术，为现代半导体领域提供丰富的空间，为固体物理的研究提供材料平台。目前均匀掺杂是缺陷工程领域的主要方式，但是在一些包括人工调控缺陷分布的相关研究中，人们发现人为的改变缺陷分布情况能够导致材料中产生各种物理性质，尤其是对称性破缺有关的性质。

有鉴于此，蔚山科学技术院(UNIST) Jung-Woo Yoo、Hosub Jin、Zonghoon Lee等报道通过选择性进行plasma处理，在二维PtSe₂薄膜中构建层-层梯度变化的缺陷，打破了空间反演对称性，导致材料形成Rashba效应。

本文要点：

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通过扫描隧道电子显微镜表征发现，Se缺陷能够产生到深入材料内部7 nm，而且Se/Pt原子的比例沿着层变化表现线性变化趋势。这种打破对称性导致形成 Rashba效应，因此在实验中观测到非互易传输行为，并且通过第一性原理计算模拟验证。这项工作为发展自旋和动量相互纠缠的缺陷调控提供更多空间，为新型电子学领域的应用提供机会。

参考文献

Jo, J., Kim, J.H., Kim, C.H. et al. Defect-gradient-induced Rashba effect in van der Waals PtSe2 layers. Nat Commun 13, 2759 (2022)

DOI: 10.1038/s41467-022-30414-4

https://www.nature.com/articles/s41467-022-30414-4