发展垂直磁化全电动开关（All-electric switching of perpendicular magnetization）是发展快速、高密度、低功耗的磁存储器和磁逻辑器件构建集成电路的前提。迄今为止，人们通过在双层/三层无场自旋轨道力矩SOT（the field-free spin-orbit torque）体系中建立不对称结构，实现了垂直磁化全电动开关。

有鉴于此，新加坡国立大学陈景升（Jingsheng Chen）等报道在组分20<x<56的Co_xPt_100-x单层材料中发现垂直磁化效应，能够在没有外加磁场时，实现垂直磁化电动开关，其中当比例为Co₃₀Pt₇₀时展示了最大的面外有效磁场与最好的磁开关。

本文要点

（1）

研究发现，这种独特的性质产生的机理来自两种结构改变：片状Co/Pt界面的低晶体对称性，沿着磁性纳米片径向元素成分的变化。与双/三层纳米片不同，这种Co_xPt_100-x单层材料在没有外磁场条件具有的开关功能有效的简化SOT器件结构，避免更多不对称结构设计。

参考文献

Liu, L., Zhou, C., Zhao, T. et al. Current-induced self-switching of perpendicular magnetization in CoPt single layer. Nat Commun 13, 3539 (2022)

DOI: 10.1038/s41467-022-31167-w

https://www.nature.com/articles/s41467-022-31167-w