位错是一维晶线缺陷，通常被认为对经典半导体的功能特性是不利的。近日，华威大学Marin Alexe等研究表明位错能够提高氧化物半导体的光电导率。
本文要点：
1）钛酸锶单晶可控变形使两个滑移系统具有不同介观排列的高密度有序位错。纳米级导电原子力显微镜研究表明这两种滑移系统位错核心周围的光电导率的显著增强。
2）宏观面内测量表明，尽管局部增强相似，但两种位错系统具有不同的全局光电导行为。根据排列方式，全局光响应可以增加几个数量级。
3）此外，首次观察到了位错周围的应变场实现的体光伏效应的迹象。这证明氧化物半导体中的位错对于定制光电功能非常重要。
该工作提出的电子传输仅限于位错核心的直接证据，将成为一个新兴的研究领域。
Maximilian Kissel, et al. Enhanced photoconductivity at dislocations in SrTiO3. Adv. Mater., 2022
DOI: 10.1002/adma.202203032
