PdSe2具有层状结构。其原子键构型具有平面 4 重配位 Pd 原子和层内 Se-Se 键，可实现具有不同电子和量子特性的多晶型相，尤其是在原子级薄时。PdSe2 传统上属于正交晶系，直接合成其亚稳多晶相仍然是一个挑战。近日，美国橡树岭国家实验室Kai Xiao等报道了一种环境压力化学气相沉积方法来合成亚稳态单斜晶系PdSe2。
本文要点：
1）单斜晶系PdSe2是在诱导硒空位的缺硒条件下选择性合成的。第一性原理密度泛函理论计算显示这些缺陷可以降低亚稳单斜相的自由能，从而在合成过程中使其稳定。
2）单斜PdSe2晶体的结构和组成通过扫描透射电子显微镜成像、会聚束电子衍射和电子能量损失能谱进行识别和表征。
3）单斜PdSe2薄片的偏振拉曼光谱揭示了它们强的面内光学各向异性。电输运测量表明，单斜晶系PdSe2表现出n型电荷载流子传导，电子迁移率高达 ∼298 cm2 V-1 s-1 和 ∼1.9 的强平面内电子迁移率各向异性。
该工作报道的缺陷介导的生长途径有望用于其它二维过渡金属二硫化物的相选择性直接合成。
Yiyi Gu, et al. Stabilized Synthesis of 2D Verbeekite: Monoclinic PdSe2 Crystals with High Mobility and In-Plane Optical and Electrical Anisotropy. ACS Nano, 2022
DOI: 10.1021/acsnano.2c02711
