人们通常认为发光二极管激发形成光所需要的最小电压与分离基本电荷的发射体能带有关。有鉴于此，浙江大学狄大卫等报道包括钙钛矿、有机分子、量子点、III-V半导体在内的许多类型材料的LED器件，观测发现创造纪录的低电压（仅仅为能带宽度的36-60 %），呈现较高的表观能量增益（0.6-1.4 eV）。

本文要点

（1）

在17种不同电荷注入、电荷复合性质的LED（饱和暗电流10^-39-10^-15 mA cm^-2），发现在低电压条件展现了非常类似的发射强度-电压曲线变化规律。

（2）

这些观测现象与二极管模拟结果一致，说明产生超低电压荧光的原因是一种普适性机理过程，产生这种超低电压荧光的原因来自非热力学平衡状态带边载流子的辐射复合，这种带边载流子的分布情况受到外加电压条件对Fermi-Dirac方程的微扰作用决定。

参考文献

Lian, Y., Lan, D., Xing, S. et al. Ultralow-voltage operation of light-emitting diodes. Nat Commun 13, 3845 (2022)

DOI: 10.1038/s41467-022-31478-y

https://www.nature.com/articles/s41467-022-31478-y