内存计算(In-Memory Computing)能够进行逻辑运算和数据存储，为机器学习等基于大数据驱动的应用提供发展机会。这种内存计算被认为是解决高密度集成器件和低操作功耗的可行方法，但是由于分子之间的随机取向，目前人们还无法在室温条件将单分子的自旋或者电偶极子的同时进行单分子级别内存逻辑计算。

有鉴于此，厦门大学洪文晶、谢素原、英国兰卡斯特大学Colin J. Lambert等报道一种能够在内存中进行逻辑运算的器件，这种内存中进行逻辑计算的单金属富勒烯（Sc₂C₂@C_s(hept)-C₈₈具有两种终态。

本文要点

（1）

通过对单个金属富勒烯簇加±0.8 V的低电压，发现不同偶极态的数值信息记录数据能够进行可逆的编码与存储。因此这个器件能够进行14种Boolean逻辑运算。

（2）

DFT计算发现，将[Sc₂C₂]基团组装在富勒烯的笼子中，能够表现非失易忆阻性能，这种概念验证器件朝着发展室温电动操作、低功耗、双端内存逻辑器件提供机会，为纳米电化学器件进行内存计算提供机会和方向。

参考文献

Li, J., Hou, S., Yao, YR. et al. Room-temperature logic-in-memory operations in single-metallofullerene devices. Nat. Mater. (2022)

DOI: 10.1038/s41563-022-01309-y

https://www.nature.com/articles/s41563-022-01309-y