1T相MoS2具有金属导电性、丰富的活性中心和高理论容量，是一种很有前途的电化学储能电极材料。然而，由于亚稳态1T相通过再堆叠习惯性地转化为稳定的2H相，在高电流密度下差的倍率容量和循环稳定性阻碍了它们的应用。
近日，山东大学Gang Lian，Mingwen Zhao，Haohai Yu获得一种稳定的缺陷的富1T相MoS2，其表现出超高的倍率容量和可逆性。
文章要点
1）首先，通过原位水热反应将一个关键的多羟基分子(抗坏血酸，AsA)插入相邻的MoS2单层之间，合成了具有交替插入的AsA分子的MoS2，命名为MoS2 /AsA。其次，将前驱体在氩气中800°C退火2 h后，成功获得了单层碳（m-C）交替嵌入的缺陷富1T-MoS2纳米花，命名为富1T-MoS2/m-C。
2）研究发现，OH的掺杂和通过m-C插层的层间膨胀分别有利于富MoS2的形成和稳定。相应的理论研究也证明了OH掺杂对形成1T相MoS2的积极作用，以及可改善Na离子在1T相MoS2中的吸附能和扩散动力学。
3）重要的是，缺陷型富1T-MoS2/m-C纳米花表现出出色储钠性能，包括大比容量（在0.1 A g−1循环80次后，容量为557 mAh g−1），高倍率性能（在10 A g−1循环下，容量为411 mAh g−1），以及长期循环稳定性（在2 A g−1循环1000次后，容量为364 mAh g−1）。相应的全电池也具有良好的循环稳定性。
参考文献
Junwei Sun, et al, Electron-Injection and Atomic-Interface Engineering toward Stabilized Defected 1T-Rich MoS2 as High Rate Anode for Sodium Storage, ACS Nano, 2022
DOI: 10.1021/acsnano.2c03623
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c03623
