二维（2D）材料中的激子有助于开发改进的光电器件，已引起广泛的关注。以前的报告基于直接激发，其中平面外照明投射均匀的单模光斑。然而，由于光学衍射极限，最小光斑尺寸为几微米，抑制了纳米级激子的精确操纵和控制。近日，东南大学Tong Zhang等报道了引入面内相干表面等离激元干涉（SPI）场来远程激发和调制激子。
本文要点：
1）作者展示了六方氮化硼-二硫化钨-六方氮化硼（hBN-WS2-hBN）异质结构谷态的最先进的远程激发和近场调制。谷激子在耦合的金纳米颗粒-微板系统中在几纳米区域内通过三束SPI处理。通过调整 SPI 相位差可以观察到选择性多态谷调制。
2）与平面外光相比，统一的平面内SPI表明空间体积更紧凑，并且为单个或一组设备调制提供了丰富的模式选择。
该结果不仅为在纳米级操控和编码激子态建立了一个基本平台，而且提供了面对全光集成谷电子芯片的新途径用于未来的量子计算和信息应用。
Huan-Li Zhou, et al. Nanoscale Valley Modulation by Surface Plasmon Interference. Nano Lett., 2022
DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c01442
