范德华 (vdW) 异质结构在过去十年中引起了极大的研究兴趣，因为它没有悬空键及其有趣的低维特性。二维材料的出现使有趣的物理现象的发现和卓越性能器件的实现都取得了重大进展。近日，韩国科学技术高等研究院 (KAIST) Kibum Kang，韩国科学技术研究院 (KIST) Joon Young Kwak，韩国化学技术研究院 (KRICT) Taek-Mo Chung等报道了将二维层状IV族金属硫属化物Ge₄Se₉作为绝缘vdW材料。

本文要点：

1）作者通过金属有机气相沉积（MOCVD）系统在 240 °C 下使用液态锗前驱体合成了具有矩形形状的二维层状Ge₄Se₉。

2）通过堆叠 Ge₄Se₉ 和 MoS₂，扫描 ±80 V 的背栅范围制备了具有 129 V 巨大存储窗口的 vdW 异质结构器件。

3）与栅极无关的衰减时间表明，大滞后是由界面电荷转移引起的，这源于低能带偏移。此外，作者观察到 2,250 个脉冲的可重复电导变化，增强和抑制曲线的低非线性值分别为 0.26 和 0.95。

4）MoS₂/Ge₄Se₉器件的工作能量消耗约为15 fJ，图像分类的学习精度达到88.3%，进一步证明了人工突触的巨大潜力。

Gichang Noh, et al. Large Memory Window of van der Waals Heterostructure Devices Based on MOCVD-Grown 2D Layered Ge₄Se₉. Adv. Mater., 2022

DOI: 10.1002/adma.202204982

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202204982