柔性电子产品因其在新兴应用中的巨大潜力而引起了极大的兴趣，然而，这些应用在材料自限制制造、机械柔韧性和相关的中等电气性能方面遇到了挑战。于此，北京大学张敏等人通过混合维范德华 (vdW) 工程实现了晶圆级柔性全碳集成晶体管。

本文要点：

1）卓越的性能包括51.8 mV dec^-1 的亚阈值摆幅打破了热电子极限，出色的场效应迁移率高达313.8 cm² V^-1 s^-1和工作电压低于 1 V。vdW集成晶体管中碳纳米管上氧化石墨烯的电荷转移调制旨在增强沟道电导，理论计算和电学特性同时证实了这一点。

2）此外，晶体管在250 µm的超小半径下弯曲后仍保持稳定的电气性能。进一步实现了指数灵敏度温度传感器和二进制逻辑逆变器，以证明这些设备作为全 vdW 电子产品构建模块的可行性。这些结果表明，无论是全 vdW 晶体管实现策略还是电荷转移策略，都为提高器件性能和进一步推进柔性电子技术提供了通用方法。

参考文献：

Zhang, Y., Liu, D., Huang, Q., Ren, Q., Fan, L., Du, C., Zhang, S., Zhang, M., Mixed-Dimensional van der Waals Engineering for Charge Transfer Enables Wafer-Level Flexible Electronics. Adv. Funct. Mater. 2022, 2205111.

https://doi.org/10.1002/adfm.202205111