通过单晶材料的异质结构集成的方式,人们能够发展先进的器件和功能体系。虽然目前人们通过外延异质结的方式集成得到活性器件结构层的相关研究得到非常大的进展,但是由于晶格常数以及晶格极性不匹配导致难以得到高质量的材料。
层转移方式是一种具有可行性的方法,但是缺点是转移材料的选择比较有限,而且转移过程存在难度。
有鉴于此,麻省理工学院Jeehwan Kim、伦斯勒理工学院Yunfeng Shi、俄亥俄州立大学Jinwoo Hwang、圣路易斯华盛顿大学Sang-Hoon Bae等报道发展了纳米图案化的石墨烯作为一种优异的异质结构集成平台,这种方法能够生成类型广泛的、缺陷浓度较低、各种极性(包括极性/非极性)、各种能带(窄/宽能带)的单晶薄膜。
参考文献
Kim, H., Lee, S., Shin, J. et al. Graphene nanopattern as a universal epitaxy platform for single-crystal membrane production and defect reduction. Nat. Nanotechnol. (2022)
DOI: 10.1038/s41565-022-01200-6
https://www.nature.com/articles/s41565-022-01200-6