由相关氧化物形成的界面为发现新现象和量子态提供了重要途径。然而，通过传统的逐层堆叠或自组装来制造具有可变晶体取向和应变状态的氧化物界面是非常具有挑战性的。

中国科学院大学Er-Jia Guo和Kui-Juan Jin等报道了横向互连钴酸盐同质结构中的同形晶界(GBs)的产生。

本文要点：

（1）

单晶衬底和悬浮超薄独立膜为相干外延提供了独立的模板，并限制了生长方向，从而形成无缝和原子级锐利的GBs。混合结构中的电子状态和磁行为被GBs横向调制和隔离，使得能够在平面矩阵中人工设计功能。

（2）

该工作提供了一种简单和可扩展的方法，通过控制合成路线来制造前所未有的创新界面，并为探索神经形态、固态电池和催化的潜在应用提供了一个平台。

参考文献:

Braiding Lateral Morphotropic Grain Boundary in Homogeneitic Oxides. Adv. Mater.. Accepted Author Manuscript.

DOI: 10.1002/adma.202206961

https://doi.org/10.1002/adma.202206961