打破热电(TE)平衡关系是最大化聚合物半导体TE性能的梦想。现有的努力集中在设计高迁移率半导体和实现有序分子掺杂上，忽略了TE转换期间分子取向的关键作用。

中科院化学所Chong-An Di等通过微调一种基于二酮吡咯并吡咯的聚合物(DPP-BTz)的分子取向，ZT达到0.40。

本文要点：

（1）

具有双峰分子取向的膜通过增加片层间距产生优异的掺杂效率，并实现费米能和传输能之间的增加的分裂，以增强热电能。这些因素以意想不到的方式促成了塞贝克系数和电导率的同时提高。

（2）

重要的是，双峰薄膜的最大功率因数高达346 μW·m^-1·K^-2，比单峰薄膜高出400%以上。这些结果证明了聚合物半导体中的分子取向工程在开发先进的OTE材料方面的巨大潜力。

参考文献:

Wang, D., Ding, J., Dai, X., Xiang, L., Ye, D., He, Z., Zhang, F., Jung, S.-H., Lee, J.-K., Di, C.-a. and Zhu, D. (2022), Triggering ZT to 0.40 by Engineering Orientation in One Polymeric Semiconductor. Adv. Mater.. Accepted Author Manuscript 2208215.

DOI: 10.1002/adma.202208215 

https://doi.org/10.1002/adma.202208215