在制备半透明(ST)钙钛矿太阳能电池(PSCs)和串联太阳能电池时，原子层沉积(ALD)是一种特别吸引人的溅射缓冲层技术。然而，当衬底与ALD反应物不发生反应时，ALD过程变为岛状生长，形成针孔层，对防溅射产生不利影响。
近日，暨南大学麦耀华教授，Yuzhao Yang，于利希研究中心Weiyuan Duan进行了以ALD SnOx为溅射缓冲层的p-i-n结构PSCs。P-i-n结构PVK太阳电池中常用的电子传输层(ETL)PCBM是阻止ALD SnOx逐层生长的非反应性衬底。
文章要点
1）研究人员通过引入反应中心来激活PCBM层，以形成不透水的ALD层。通过引入反应点/AlD SnOx作为溅射缓冲层，研究人员成功地制备了钙钛矿/硅(双面抛光)串联太阳电池和ST-PSCs太阳电池，其PCE分别为20.25%和23.31%。2）此外，经过5100小时的老化后，带有反应中心的未封装器件的初始功率转换效率(PCE)仍保持在99%以上。因此，这项工作为制备稳定的PSCs、ST-PSCs、串联太阳电池以及相关的规模化太阳电池提供了一条很有前途的途径。
参考文献
Bohao Yu, et al, Efficient Semi-Transparent and Tandem Solar Cells via Activating Unreactive Substrate, Adv. Mater. 2022
DOI: 10.1002/adma.202202447
https://doi.org/10.1002/adma.202202447
