单层二维(2D)材料为半导体电子器件的进一步小型化带来了希望。然而，金属半导体接触电阻会限制器件性能。

为了缓解这个问题，哈佛大学Yeonchoo Cho提出了调制掺杂，特别是在金属-半导体界面的相反一侧放置一个掺杂层。

文章要点

1）使用第一性原理计算获得能带排列，研究人员证明肖特基势垒高度以及金属半导体界面的接触电阻可以通过调制掺杂降低。

2）研究人员证明了这种方法对于单层二硒化钨(WSe2)沟道和2D MXene调制掺杂层以及与几种不同金属接触界面的可行性。

3）结果表明，金属的费米能级可以在整个带隙内移动。这种方法可以直接推广到其他2D半导体和各种掺杂层。

参考文献

Yeonchoo Cho, et al, Modulation Doping of Single-Layer Semiconductors for Improved Contact at Metal Interfaces, Nano Lett., 2022

DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c04011

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c04011