集成光学传感和长时记忆功能的非易失性光电存储器(NVOM)能够高效处理和存储大量视觉场景信息，已经成为多种智能场景的核心需求。然而，实现具有可见-红外宽带响应的NVOM仍然具有挑战性。

近日，暨南大学Weiguang Xie，Xiaomu Wang，Tingting Shi实现了基于少层MoS₂/2D Ruddlesden–Popper钙钛矿(2D-RPP)范德华异质结的室温可见-红外宽带NVOM。

文章要点

1）研究发现2D-RPP将最初的n型MoS₂转变为p型，促进了它们之间的空穴转移。此外，富含带间态的2D-RPP充当有效的电子俘获层以及宽带光响应层。

2）无介电的MoS₂/2D-RPP异质结使电荷能够在外场下快速转移，从而实现大的存储窗口(104 V)、20 μs的快速写入速度以及室温下从可见光(405 nm)到电信波长(即1550 nm)的光学可编程特性。

3）梯形光学编程可以产生多达100个可识别的状态(> 6位)，每个光学程序的工作能量低至5.1 pJ。

因此，研究结果提供了一条实现从可见光到红外波长的快速、低功耗、多位光电存储器的途径。

参考文献

Haojie Lai, et al, Fast, multi-bit and Vis-infrared broadband nonvolatile optoelectronic memory with MoS₂/2D-perovskite van der Waals Heterojunction, Advanced Materials. 2022

DOI: 10.1002/adma.202208664

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202208664