自下而上制造技术和自上而下方法的结合可以克服当前纳米制造中的限制。

对于这种集成，仁川大学Han-Bo-Ram Lee提出了使用原子层沉积的梯度区域选择性沉积，以克服3D纳米制造的固有限制，并证明了所提出的方法对于大规模材料生产的适用性。

文章要点

1）Cp(CH₃)₅Ti(OMe)₃用作分子表面抑制剂，以防止在下一个原子层沉积过程中TiO2薄膜的生长。Cp(CH₃)₅Ti(OMe)₃吸附在三维纳米孔中被逐渐控制以实现梯度TiO₂生长。这导致具有高纵横比孔结构的完美无缝TiO₂膜的形成。

2）实验结果与基于密度泛函理论、蒙特卡罗模拟和Johnson-Mehl-AvramiKolmogorov模型的理论计算一致。此外，由于梯度区域选择性沉积TiO₂膜的形成是基于分子化学和物理行为的基本原理，这种方法可以应用于原子层沉积中的其他材料系统。

参考文献

Nguyen, C.T., Cho, EH., Gu, B. et al. Gradient area-selective deposition for seamless gap-filling in 3D nanostructures through surface chemical reactivity control. Nat Commun 13, 7597 (2022).

DOI：10.1038/s41467-022-35428-6

https://doi.org/10.1038/s41467-022-35428-6